这类陶瓷材料主要用来制造在各种条件下应用的电容器。根据闰家标准的规定，这类陶瓷材料分为一类电容器陶瓷介质、二类电容器陶瓷介质和三类电容器陶瓷介质。
一类电容器陶瓷介质主要用来制造高频陶瓷电容器。根据陶瓷材料的性能和应用要求，可具体分为两种类型电容器陶瓷介质，高频稳定型电容器陶瓷介质，主要用来制造用于精密电子仪器等的陶瓷电容器，要求电容器的电容量温度系数小，以保精密电子仪器等正常。热补偿型电容器陶瓷介质，主要用来制造用于高频震荡回路等高频电路的陶瓷电容器，要求这种电容器陶瓷介质具有较大的负电容温度系数，以补偿电感等其他元器件工作时性能的正温度系数变化，提高整机工作的频率稳定性等。
二类电容器陶瓷介质又称为低频电容器陶瓷介质。主要用来制造电子线路中的旁路、耦合电路、低频及其他对电容量温度稳定性和介质损耗要求不高的电容器。要求这类陶瓷材料具有大的介电系数，介电系数与电场为非线性关系。代表性陶瓷材料有batio3陶瓷和srtio3陶瓷等。
三类电容器陶瓷介质又称为半导体陶电容量、小体积的电容器，要求这类电容器陶瓷介质具有介质层极薄、介电系数大、介电系数的温度变化小等性能，根据其结构特点分为三种：表面层型，也称为氧化层型，是指在半导体陶瓷的表面经过氧化处理形成极薄的绝缘层为介质的半导体陶瓷介质。阻挡层型，是利用半导体陶瓷的表面与电极形成的接触势垒薄层为介质的半导体陶瓷介质。晶界层型，也称为bl型，是利用半导体陶瓷中的半导体晶粒间的绝缘晶界层为介质的半导体陶瓷介质。
